10月8日，工信部公布了一份答復政協(xié)《關于加快支持工業(yè)半導體芯片技術研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化自主發(fā)展的提案》的函，函中工信部指出，中國集成電路產(chǎn)業(yè)核心技術受制于人的局面仍然沒有根本改變，急需加強核心技術攻關，保障供應鏈安全和產(chǎn)業(yè)安全。

工信部指出，將調(diào)整完善工業(yè)半導體芯片政策實施細則，促進中國工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的技術迭代和應用推廣；加強與先進發(fā)達國家產(chǎn)學研機構(gòu)的戰(zhàn)略合作，進一步鼓勵中國企業(yè)引進國外專家團隊；積極部署新材料及新一代產(chǎn)品技術的研發(fā)；推進設立集成電路一級學科，進一步做實做強示范性微電子學院。

持續(xù)推進工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展

在這份成文于2019年8月 31 日的函中，工信部指出，在當前復雜的國際形勢下，工業(yè)半導體材料、芯片、器件及絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊的發(fā)展滯后將制約中國新舊動能轉(zhuǎn)化及產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型，進而影響國家經(jīng)濟發(fā)展。工信部進而對政協(xié)《關于加快支持工業(yè)半導體芯片技術研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化自主發(fā)展的提案》進行了逐條回應。

在制定工業(yè)半導體芯片發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃、出臺扶持技術攻關及產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策方面，下一步，工信部及相關部門將持續(xù)推進工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展，根據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢，調(diào)整完善政策實施細則，更好的支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展。通過行業(yè)協(xié)會等加大產(chǎn)業(yè)鏈合作力度，促進中國工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的技術迭代和應用推廣。

在開放合作方面，該部將引導國內(nèi)企業(yè)、研究機構(gòu)等加強與先進發(fā)達國家產(chǎn)學研機構(gòu)的戰(zhàn)略合作，進一步鼓勵中國企業(yè)引進國外專家團隊，促進中國工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)研發(fā)能力和產(chǎn)業(yè)能力的提升。

在技術突破上，該部將繼續(xù)支持中國工業(yè)半導體領域成熟技術發(fā)展，推動中國芯片制造領域良率、產(chǎn)量的提升。積極部署新材料及新一代產(chǎn)品技術的研發(fā)，推動中國工業(yè)半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

在人才培育方面，下一步，工信部與教育部等部門將推進設立集成電路一級學科，進一步做實做強示范性微電子學院，加快建設集成電路產(chǎn)教融合協(xié)同育人平臺，保障中國在工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。

保障供應鏈安全和產(chǎn)業(yè)安全

工信部賽迪研究院集成電路所副所長王世江接受21世紀經(jīng)濟報道記者采訪時指出，中國在集成電路基礎元器件方面仍存在短板是個歷史性的問題，“中國電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展路徑是從整機開始起步，這有利于發(fā)揮勞動密集型優(yōu)勢，再慢慢往上游的制造和原材料、元器件這些方面攀登。目前中國在整機上已取得長足進步，制造這塊兒也在趕上。但是更上游的集成電路核心元器件這一塊，比如電容電感、模擬芯片、觸摸轉(zhuǎn)換等方面我們基礎仍然很差。”

以陶瓷電容（MLCC）為例，他介紹，這類核心元器件最大的特點是多品種、小批量，單獨品種的市場比較小，技術難度又較高，歐美企業(yè)經(jīng)過很多年的發(fā)展，已經(jīng)掌握這些技術并且占領了這些細分市場。中國的企業(yè)就很難再去與其競爭。而且中國在技術攻關上，更側(cè)重于集中力量辦大事，對于品種特別多的技術則很難發(fā)揮這一體制優(yōu)勢，因此，這一追趕需要一個過程。

工信部賽迪研究院的一份報告顯示，在高端芯片方面，中國在中央處理器（CPU）、存儲器、現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）、高速數(shù)模轉(zhuǎn)換器（AD/DA）等方面高度依賴進口。其中，國產(chǎn)CPU總體水平仍然落后國際主流3到5年，計算架構(gòu)仍依賴于國際X86、ARM、MIPS、Power幾大架構(gòu)的授權。存儲器基本完全依賴進口。特色制造工藝方面，高頻射頻器件、高功率IGBT、化合物半導體的制造技術依然欠缺。設備和原材料等產(chǎn)業(yè)配套方面，高端光刻機、高端光刻膠、12英寸硅片等仍未實現(xiàn)國產(chǎn)化。

值得注意的是，中美經(jīng)貿(mào)摩擦升級以來，中興、華為等高科技企業(yè)被美國商務部陸續(xù)納入出口管制實體清單，集成電路核心技術與元器件受制于人的問題日漸凸顯，保障供應鏈安全和產(chǎn)業(yè)安全備受世人關注。

在近日由清華大學經(jīng)管學院舉辦的“中美摩擦下的中國經(jīng)濟”研討會上，21世紀經(jīng)濟報道從清華大學微納電子學系主任、微電子所所長魏少軍處獲悉，去年中國采購了全球2/3（3120億美元）的芯片，其中約1700億美元隨著整機出口至國外，中國本土使用了全球34%（1540億美元）的芯片。

他介紹，中國自己生產(chǎn)的半導體大概在全球占7.9%，這意味著還有26%、近1200億美元的市場依賴進口。

關于是否會擔心美國在半導體領域?qū)χ袊鴶喙?？魏少軍指出，中國更關注的是芯片的供應安全，而國外半導體供應商也非常關注如何保持中國的市場份額，斷供對中美必然是兩敗俱傷的。他指出，美國半導體產(chǎn)值大概2300億美元，約占全球半導體市場的一半，其中近一半依賴中國市場，半導體產(chǎn)業(yè)在世界各地已形成高度依存的全球產(chǎn)業(yè)鏈。

附：工信部復函全文

關于政協(xié)十三屆全國委員會第二次會議第2282號（公交郵電類256號）提案答復的函

民進9組：

你們提出的《關于加快支持工業(yè)半導體芯片技術研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化自主發(fā)展的提案》收悉。經(jīng)商發(fā)展改革委，現(xiàn)答復如下：

集成電路產(chǎn)業(yè)是國民經(jīng)濟和社會發(fā)展的戰(zhàn)略性、基礎性和先導性產(chǎn)業(yè)，其技術水平和發(fā)展規(guī)模已成為衡量一個國家產(chǎn)業(yè)競爭力和綜合國力的重要標志。黨中央、國務院高度重視集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，先后出臺《國務院關于印發(fā)鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知》（國發(fā)〔2000〕18號）、《國務院關于印發(fā)進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知》（國發(fā)〔2011〕4號）、《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》（以下簡稱《推進綱要》）等一系列文件，組織實施了相關國家科技重大專項，為我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展營造了良好的產(chǎn)業(yè)環(huán)境。

近年來，我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展取得了長足進步，但是核心技術受制于人的局面仍然沒有根本改變，急需加強核心技術攻關，保障供應鏈安全和產(chǎn)業(yè)安全。正如你們在建議中所言，在當前復雜的國際形勢下，工業(yè)半導體材料、芯片、器件及絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊的發(fā)展滯后將制約我國新舊動能轉(zhuǎn)化及產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型，進而影響國家經(jīng)濟發(fā)展。你們對發(fā)展我國工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)提出了很好的意見和建議，對我們今后的工作具有借鑒意義。

一、關于制定工業(yè)半導體芯片發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃，出臺扶持技術攻關及產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策的建議

為推動我國工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展，我部、發(fā)展改革委及相關部門，積極研究出臺政策扶持產(chǎn)業(yè)發(fā)展。一是2014年國務院發(fā)布的《推進綱要》中，已經(jīng)將工業(yè)半導體芯片相關產(chǎn)品作為發(fā)展重點，通過資金、應用、人才等方面政策推動產(chǎn)業(yè)進步。二是發(fā)展改革委、我部研究制定了集成電路相關布局規(guī)劃，推動包括工業(yè)半導體材料、芯片等產(chǎn)業(yè)形成區(qū)域集聚、主體集中的良性發(fā)展局面。三是按照國發(fā)〔2011〕4號文件的有關要求，對符合條件的工業(yè)半導體芯片設計、制造等企業(yè)的企業(yè)所得稅、進口關稅等方面出臺了多項稅收優(yōu)惠政策，對相關領域給予重點扶持。四是圍繞能源、交通等國家重點工業(yè)領域，充分發(fā)揮相關行業(yè)組織作用，通過舉辦產(chǎn)用交流對接會、新產(chǎn)品推介會、發(fā)布典型應用示范案例等方式，為我國工業(yè)半導體芯片企業(yè)和整機企業(yè)搭建交流合作平臺。

下一步，我部及相關部門將持續(xù)推進工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展，根據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢，調(diào)整完善政策實施細則，更好的支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展。通過行業(yè)協(xié)會等加大產(chǎn)業(yè)鏈合作力度，深入推進產(chǎn)學研用協(xié)同，促進我國工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的技術迭代和應用推廣。

二、關于開放合作，推動我國工業(yè)半導體芯片材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展的建議

集成電路是高度國際化、市場化的產(chǎn)業(yè)，資源整合、國際合作是快速提升產(chǎn)業(yè)發(fā)展能力的重要途徑。我部與相關部門積極支持國內(nèi)企業(yè)、高校、研究院所與先進發(fā)達國家加強交流合作。引進國外先進技術和研發(fā)團隊，推動包括工業(yè)半導體芯片、器件等領域國際專家來華交流，支持海外高層次產(chǎn)業(yè)人才來華發(fā)展，提升我國在工業(yè)半導體芯片相關領域的研發(fā)能力和技術實力。

下一步，我部和相關部門將繼續(xù)加快推進開放發(fā)展。引導國內(nèi)企業(yè)、研究機構(gòu)等加強與先進發(fā)達國家產(chǎn)學研機構(gòu)的戰(zhàn)略合作，進一步鼓勵我國企業(yè)引進國外專家團隊，促進我國工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)研發(fā)能力和產(chǎn)業(yè)能力的提升。

三、關于步步為營分階段突破關鍵技術的建議

為解決工業(yè)半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊等核心部件的關鍵性技術問題，我部等相關部門積極支持工業(yè)半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊領域關鍵技術攻關。一是2017年我部推出“工業(yè)強基IGBT器件一條龍應用計劃”，針對新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通三大領域，重點支持IGBT設計、芯片制造、模塊生產(chǎn)及IDM、上游材料、生產(chǎn)設備制造等環(huán)節(jié)，促進IGBT及相關產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。二是指導湖南省建立功率半導體制造業(yè)創(chuàng)新中心建設，整合產(chǎn)業(yè)鏈上下游資源，協(xié)同攻關工業(yè)半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊領域關鍵共性技術。三是指導中國寬禁帶半導體及應用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟發(fā)布《中國IGBT技術與產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線圖（2018-2030）》，引導我國IGBT行業(yè)技術升級，推動相關產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

下一步，我部將繼續(xù)支持我國工業(yè)半導體領域成熟技術發(fā)展，推動我國芯片制造領域良率、產(chǎn)量的提升。積極部署新材料及新一代產(chǎn)品技術的研發(fā)，推動我國工業(yè)半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

四、關于高度重視人才隊伍的培養(yǎng)，出臺政策和措施建立這一領域長期有效的人才培養(yǎng)計劃的建議

當前，人才問題特別是高端人才團隊短缺成為制約我國工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展的關鍵因素，為此我部及相關部門積極推動我國相關產(chǎn)業(yè)人才的培養(yǎng)。一是我部、教育部共同推動籌建集成電路產(chǎn)教融合發(fā)展聯(lián)盟，促進產(chǎn)業(yè)界和學術界的資源整合，推動培養(yǎng)擁有工程化能力的產(chǎn)業(yè)人才。二是同時以集成電路為試點實施關鍵領域核心技術緊缺博士人才自主培養(yǎng)專項，根據(jù)行業(yè)企業(yè)需要，依托高水平大學和國內(nèi)骨干企業(yè)，針對性地培養(yǎng)一批高端博士人才。三是教育部、我部等相關部門印發(fā)了《關于支持有關高校建設示范性微電子學院的通知》，支持26所高校建設或籌建示范性微電子學院，推動高校與區(qū)域內(nèi)集成電路領域骨干企業(yè)、國家公共服務平臺、科技創(chuàng)新平臺、產(chǎn)業(yè)化基地和地方政府等加強合作。

下一步，我部與教育部等部門將進一步加強人才隊伍建設。推進設立集成電路一級學科，進一步做實做強示范性微電子學院，加快建設集成電路產(chǎn)教融合協(xié)同育人平臺，保障我國在工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。