據(jù)媒體1月9日最新消息，日本化工巨頭昭和電工于1月8日宣布，將在中國(guó)上海計(jì)劃建設(shè)位于中國(guó)上海的第二工廠，用于增加半導(dǎo)體和顯示屏材料的產(chǎn)能。據(jù)悉，新工廠擬于2021年下半年投產(chǎn)，并將建設(shè)在上海昭和電子化學(xué)材料有限公司(以下簡(jiǎn)稱“SSE”)的旁邊。按照昭和電工的計(jì)劃，上海第二工廠將會(huì)把高純度一氧化二氮年的生產(chǎn)能力提升至1000噸，高純度八氟環(huán)丁烷年生產(chǎn)能力600噸。

資料顯示，高純度一氧化二氮主要是半導(dǎo)體及顯示屏制造時(shí)的氧化膜的氧來(lái)源的特種氣體，高純度八氟環(huán)丁烷主要是這種氧化膜的微細(xì)加工(蝕刻)時(shí)的特種氣體。簡(jiǎn)單地說(shuō)，就是這兩種都是半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中的重要原料。外界猜測(cè)，這家日企此番在華設(shè)下第二家新工廠，或許是在擔(dān)憂受到日本對(duì)于自家半導(dǎo)體出口限制帶來(lái)的影響。

2019年7月，日本宣布要對(duì)韓國(guó)實(shí)行半導(dǎo)體材料限制。在日本的這一舉動(dòng)之下，韓國(guó)的半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)也隨之減少了與日本企業(yè)的經(jīng)濟(jì)往來(lái)，并且轉(zhuǎn)向中國(guó)進(jìn)行半導(dǎo)體的相關(guān)合作。據(jù)報(bào)道，2019年12月12日當(dāng)天，韓國(guó)電子巨頭三星宣布，將對(duì)其中國(guó)西安芯片工廠增加80億美元（約562億元人民幣）的投資，以促進(jìn)NAND閃存芯片的生產(chǎn)。

事實(shí)上，在多家國(guó)際半導(dǎo)體巨頭來(lái)華設(shè)下工廠的背后，是我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不斷迎來(lái)新的突破。有分析指出，未來(lái)3-5年，是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)“彎道超車”邁向中高端的黃金期。據(jù)媒體1月9日最新消息，我國(guó)芯片制造商中芯國(guó)際今日宣布，14nm級(jí)芯片提前完成量產(chǎn)。

2019年12月，為加快關(guān)鍵核心技術(shù)的自主創(chuàng)新，打破西方大國(guó)的技術(shù)封鎖，我國(guó)宣布在山東臨淄經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)設(shè)立國(guó)內(nèi)首個(gè)第三代半導(dǎo)體材料項(xiàng)目，負(fù)責(zé)研發(fā)及生產(chǎn)，磁功能材料、芯片及智能制造核心部件的生產(chǎn)。據(jù)統(tǒng)計(jì)，截至 2018 年底，中國(guó)在建、已建和投產(chǎn)的12英寸集成電路制造線33條，8英寸的26條。