三星、SK海力士啟動新一輪NAND閃存擴產
全球半導體巨頭三星電子和SK海力士正式打響尖端NAND閃存產能爭奪戰。據最新消息，兩家公司計劃在今年第二季度推進尖端NAND閃存的轉換投資，其中三星電子正在討論的投資規模約為每月4萬至5萬片晶圓，預計明年進入量產階段。
過去長期把資源優先投向DRAM的兩大巨頭，如今正積極調整戰略布局，應對AI服務器需求激增帶來的存儲芯片市場新變化。
三星電子與SK海力士此次的轉換投資決策，標志著存儲芯片巨頭戰略重心正在發生微妙變化。過去，由于市場需求不足，兩家公司的設備投資幾乎全部集中在DRAM領域，NAND投資計劃一再推遲。
三星電子在2024年9月就已啟動280層V9 NAND量產，但當時只在平澤園區部署了初期量產線，月產能僅約15000片晶圓。如今，隨著AI產業推動存儲需求快速上升，三星正在加速擴大V9產能，重點放在中國西安的X2產線。
SK海力士也展現出強勁的擴產勢頭。該公司計劃在今年第二季度啟動321層第9代NAND的轉換投資，目標是在清州M15實現月產約3萬片晶圓的V9產能。與目前約2萬片晶圓的水平相比，這次擴產力度相當大。
半導體行業正迎來一場由AI驅動的存儲革命。業內消息人士透露，隨著AI服務器需求達到傳統服務器的3倍，NAND市場正在快速出現供應緊張跡象。
在層數競賽方面，三星電子正全力沖刺400多層的V10 NAND。三星已計劃在2026年量產430層V10架構NAND閃存，這一技術領先地位是其在激烈市場競爭中的核心籌碼。
SK海力士則做出了一個頗具顛覆性的決定：在300層NAND節點提前導入混合鍵合。這原本被業界認為會在400層之后才會啟動的技術，如今被海力士提前一代拉入量產路線。
混合鍵合正成為各大NAND廠商競爭的焦點。隨著層數不斷攀升，傳統架構面臨嚴峻挑戰。當NAND層數突破300層后，傳統的單片制造架構開始遭遇系統性瓶頸。
三星已宣布將在2030年開發出1000層NAND閃存。隨著AI技術革新，存儲器市場轉變為新模式，需求開始擴散到所有產品領域。
全球存儲芯片市場的競爭已從簡單的層數競賽，轉向架構創新、產業鏈整合和生態建設的全方位競爭。
目前中國NAND閃存市場份額已達33%，以470億美元總規模坐穩全球第二大存儲器市場寶座。產能擴張背后是巨大的市場需求。SK海力士表示，已經為2026年鎖定所有的DRAM和NAND客戶需求。
隨著2026年第二季度轉換投資的啟動，三星和SK海力士的NAND擴產競賽將進入實質性階段。三星計劃在2026年量產430層V10 NAND，而SK海力士則計劃于2026年底推出AI NAND樣品。
市場分析認為，存儲芯片行業正迎來新一輪增長周期。2025年底，AI需求增長導致HBM供應短缺，超大規模云服務商加大采購力度，加劇了市場價格上漲和消費級市場供應緊張狀況。
存儲世界的未來，不只在層數疊加，更在創新布局。 當AI掀起的數據洪流席卷而來，三星與SK海力士的產能博弈才剛剛開始。正如行業變革中常說的：“預測未來最好的方式就是創造它。”在這場存儲芯片的軍備競賽中，真正的贏家將是那些既能仰望技術星空又能腳踏實地滿足市場需求的企業。
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