從破土動工到設(shè)備搬入僅用約一年——長江存儲三期項目正在打破半導體行業(yè)的常規(guī)建廠周期。據(jù)業(yè)內(nèi)最新消息，原定于2027年量產(chǎn)的武漢三期晶圓廠，有望提前至2026年下半年投入生產(chǎn)，比原計劃整整提前一年。 這一速度在半導體行業(yè)極為罕見。常規(guī)情況下，此類晶圓廠從建設(shè)到量產(chǎn)通常需要兩年左右周期。長江存儲采取了“邊建廠、邊投產(chǎn)”的加速策略， 在工廠主體建筑尚未完全完工的情況下，同步進行設(shè)備搬入與生產(chǎn)線調(diào)試。 布局超級周期 在全球存儲芯片供應(yīng)持續(xù)緊缺的背景下，長江存儲的加速擴產(chǎn)是一項精準的戰(zhàn)略決策。2025年9月正式動工的三期項目，由長江存儲與湖北國資共同出資，注冊資本高達207.2億元。 這種“彎道超車”的策略背后，是長江存儲對NAND Flash市場即將迎來“超級周期”的預(yù)判。 當前，受AI服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心及消費電子復(fù)蘇推動，NAND Flash需求大幅攀升，市場呈現(xiàn)供不應(yīng)求態(tài)勢。 2026年被長江存儲視為擴大NAND Flash市場占有率的黃金時刻。 三星與SK海力士將主要資源與重心傾斜至利潤更高的DR...

全球半導體巨頭三星電子和SK海力士正式打響尖端NAND閃存產(chǎn)能爭奪戰(zhàn)。據(jù)最新消息，兩家公司計劃在今年第二季度推進尖端NAND閃存的轉(zhuǎn)換投資，其中三星電子正在討論的投資規(guī)模約為每月4萬至5萬片晶圓，預(yù)計明年進入量產(chǎn)階段。 過去長期把資源優(yōu)先投向DRAM的兩大巨頭，如今正積極調(diào)整戰(zhàn)略布局，應(yīng)對AI服務(wù)器需求激增帶來的存儲芯片市場新變化。 三星電子與SK海力士此次的轉(zhuǎn)換投資決策，標志著存儲芯片巨頭戰(zhàn)略重心正在發(fā)生微妙變化。過去，由于市場需求不足，兩家公司的設(shè)備投資幾乎全部集中在DRAM領(lǐng)域，NAND投資計劃一再推遲。 三星電子在2024年9月就已啟動280層V9 NAND量產(chǎn)，但當時只在平澤園區(qū)部署了初期量產(chǎn)線，月產(chǎn)能僅約15000片晶圓。如今，隨著AI產(chǎn)業(yè)推動存儲需求快速上升，三星正在加速擴大V9產(chǎn)能，重點放在中國西安的X2產(chǎn)線。 SK海力士也展現(xiàn)出強勁的擴產(chǎn)勢頭。該公司計劃在今年第二季度啟動321層第9代NAND的轉(zhuǎn)換投資，目標是在清州M15實現(xiàn)月產(chǎn)約3萬片晶圓的V9產(chǎn)能。與目前約2萬片晶圓的水平相比，這次擴產(chǎn)力度相當大...

2025年12月9日晚間，半導體行業(yè)期待已久的重磅合并案意外落幕。海光信息與中科曙光雙雙發(fā)布公告，宣布終止持續(xù)半年多的吸并重組計劃。這一曾被部分投資機構(gòu)人士稱為“國內(nèi)算力產(chǎn)業(yè)最大吸并案”的交易，最終因“交易規(guī)模較大、涉及相關(guān)方較多，且市場環(huán)境發(fā)生較大變化，實施條件尚不成熟”而告吹。 從5月25日首次公布合并計劃，到12月9日宣布終止，這場原本有望打造從芯片到服務(wù)器的國內(nèi)算力產(chǎn)業(yè)龍頭的交易，在歷經(jīng)半年多的籌劃后悄然收場。深夜的公告為本就寒冷的冬日增添了更多寒意。 合并終止，連鎖反應(yīng)顯現(xiàn) 隨著兩家公司董事會在同一天審議通過終止議案，這一宏圖暫時擱淺。更具連鎖反應(yīng)的是，由于換股吸收合并的終止，海光信息也同步取消了對曙光數(shù)創(chuàng)的要約收購事項。 在過去的半年多時間里，兩家公司為推進這一交易付出了持續(xù)努力。自2025年7月起，中科曙光曾連續(xù)發(fā)布6次重大資產(chǎn)重組進展公告。這些公告一直強調(diào)，交易前后海光信息均無實際控制人，不構(gòu)成重組上市情形。 市場環(huán)境的快速變化最終使得這一交易難以繼續(xù)推進。兩家公司在公告中均...

當全球半導體產(chǎn)業(yè)在 AI 浪潮與消費電子復(fù)蘇的雙重驅(qū)動下加速回暖，晶圓代工領(lǐng)域的核心玩家正陸續(xù)交出 2025 年第三季度的答卷。11 月上旬至中旬，國產(chǎn)晶圓代工 “雙雄” 華虹半導體與中芯國際相繼披露最新財報。11月13日，中芯國際披露財報顯示，Q3銷售收入為23.82億美元，同比增長9.7%；毛利率為22%，環(huán)比上升1.6%。產(chǎn)能利用率上升至95.8%，環(huán)比增長3.3個百分點。 根據(jù)未經(jīng)審核的財務(wù)數(shù)據(jù)，中芯國際前三個季度收入為68.38億美元, 較去年同期增長17.4%；毛利率為21.6%, 較去年同期增長5.3個百分點；資本開支合計57億美元。 中芯國際表示，四季度按照國際財務(wù)報告準則，公司收入指引為環(huán)比持平到增長2%，毛利率指引為18%到20%。對于凈利潤變動，中芯國際表示，主要是由于晶圓銷量同比增加及產(chǎn)品組合變動所致。 以地區(qū)收入分類看，中國、美國、歐亞占比分別為86%、11%和3%。從產(chǎn)品尺寸來看，12 英寸晶圓仍是主流，2025 年第三季度收入占比達 77.0%。 從產(chǎn)能及出貨量來看，折合8英寸標準邏輯，中芯國際第三季度月產(chǎn)能達到102.28萬片，突破百萬片；銷售晶圓數(shù)量...

10月15日，2025灣區(qū)半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)博覽會在深圳會展中心開幕。“芯世界，新選擇，新凱來”標語下人頭攢動，位于1號館的深圳市新凱來技術(shù)有限公司（以下簡稱“新凱來”）當屬最火爆的展臺。新凱來現(xiàn)場展出了多款半導體設(shè)備和設(shè)計軟件，重點展示了工藝裝備和量檢測裝備兩大系列共16款設(shè)備產(chǎn)品，所有產(chǎn)品均用中國的名山大川命名。 子公司啟云方（武漢啟云方科技有限公司）和萬里眼（深圳萬里眼技術(shù)有限公司）分別發(fā)布了EDA設(shè)計軟件和超高速示波器。 雖然此次展會新凱來沒有展出光刻機相關(guān)信息，但這家成立僅3年多的公司，正向半導體設(shè)備多項“卡脖子“技術(shù)發(fā)出了挑戰(zhàn)。 為何一家成立僅3年多的公司能帶來如此多的驚喜？ 談起新凱來，就不得不說起它的身世——深圳重大產(chǎn)業(yè)投資集團有限公司（以下簡稱“深圳投資集團”）與華為的合作。 深圳投資集團是深圳市委、市政府重大戰(zhàn)略引領(lǐng)性產(chǎn)業(yè)投資功能性平臺，由深圳市國資委直接管理。這一股權(quán)結(jié)構(gòu)使新凱來具有鮮明的“國家隊”屬性。 深圳投資集團旗下有三家芯...

北京時間10月15日午后，荷蘭光刻機之王阿斯麥（ASML）披露了第三季度財報，營業(yè)收入錄得75.16億歐元，處于二季度指引的低位區(qū)間，略低于行業(yè)一致性預(yù)期，差距不大。每股收益5.49歐元，略高于預(yù)期的5.33歐元，主要得益于費用略低于指引的區(qū)間。 整體來看財報表現(xiàn)中規(guī)中矩，如果以行業(yè)慣性ArFi產(chǎn)品（浸潤式光刻機，DUV系列）24個月和EUV18個月的交付周期來看，三季度正好處于23Q3和24Q1的預(yù)定周期內(nèi)，而23Q4和24Q2相對業(yè)績高點需要下個季度兌現(xiàn)。管理層指引較二季度相對樂觀，預(yù)計四季度營收92億至98億歐元之間，毛利率在51%-53%之間，全年整體增速維持在15%。 在二季度主動調(diào)低指引后（一季度指引上限全年增速約為24%），三季度維持了二季度的全年展望，同時管理層透露了好壞各一個消息： ·好消息：AI資本開支預(yù)期持續(xù)性明顯要更好，這一點可以從新訂單看出，三季度Net bookings達到了54億歐，雖然環(huán)比微降，但要明顯高于行業(yè)預(yù)期的49.7億歐，以及小摩給出的39.2億歐的指引。其中存儲類新訂單明顯增長。·壞消息：管理層明確表明了2026...

氮化鎵（GaN）作為第三代半導體材料之一，正加速在電力電子、數(shù)據(jù)中心與新能源汽車等高增長領(lǐng)域滲透。 在這一關(guān)鍵節(jié)點，臺積電決定于2027年前逐步退出GaN晶圓代工業(yè)務(wù)，主因包括產(chǎn)能利用率不足、價格競爭壓力以及長期戰(zhàn)略重心轉(zhuǎn)移。 而與此同時，英飛凌則在大力推進300毫米GaN晶圓IDM自建產(chǎn)線，力圖在效率與成本上獲得先發(fā)優(yōu)勢。 兩位主要的玩家選擇不同，邏輯也不同。 氮化鎵作為寬禁帶半導體材料，其電子遷移率高、擊穿電壓大、頻率響應(yīng)快，使其在高壓、快開關(guān)應(yīng)用中具備顯著優(yōu)勢，尤其適用于服務(wù)器電源、快充、逆變器、車載OBC與電驅(qū)動模塊等場景。 目前主流GaN晶圓制程以GaN-on-Si（氮化鎵外延層生長在硅襯底）為主，主要集中在6英寸和8英寸產(chǎn)線上。 以臺積電為例，其以150毫米（6英寸）硅襯底工藝為核心，服務(wù)包括Navitas、意法半導體與GaN Systems等企業(yè)，提供高壓GaN晶圓制造代工。 但由于整體GaN市場體量相較CMOS遠小，加之定價難以形成規(guī)模溢價，臺積電的GaN業(yè)務(wù)始終維持在較低投片規(guī)模。 從技術(shù)角度看 ◎ GaN外延生長...

8月18日消息，華虹半導體有限公司今日發(fā)布公告稱，正籌劃以發(fā)行股份及支付現(xiàn)金方式收購上海華力微電子有限公司控股權(quán)，并配套募集資金。此次交易初步確定的交易方包括控股股東上海華虹集團、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期等機構(gòu)，預(yù)計不構(gòu)成重大資產(chǎn)重組，且不會導致公司實際控制人變更。華虹半導體自今天（8月18日）起停牌，預(yù)計停牌時間不超過10個交易日。 先來看看本次收購標的資產(chǎn)為華力微旗下與華虹存在65／55nm及40nm工藝競爭的“華虹五廠”所對應(yīng)股權(quán)，該資產(chǎn)目前正處于分立階段。 華虹五廠，是中國大陸首條12英寸全自動生產(chǎn)線，月產(chǎn)能達3．8萬片，覆蓋65／55nm至40nm工藝，主要服務(wù)于物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等領(lǐng)域。從公布的協(xié)議細節(jié)來看，交易雙方雖然同屬華虹集團，但工藝技術(shù)定位還是存在較大差異——“大哥”華虹比較聚焦特色工藝（如智能卡芯片），＂小弟＂華力微則比較側(cè)重先進邏輯工藝。 雙方在65／55nm節(jié)點的技術(shù)都有很大的優(yōu)化空間，且在65／55nm及40nm工藝節(jié)點都存在交叉業(yè)務(wù)：華虹承接獨立式及嵌入式非易失性存儲器工藝平臺...

作為全球第一大光刻機廠商，也是唯一掌握EUV光刻機技術(shù)的廠商，理論上而言，ASML的日子是相當滋潤的。 畢竟EUV光刻機是制造7nm以下芯片必備機器，所以全球的頂尖芯片廠，都要搶ASML的EUV光刻機，看它的臉色行事，它卡著全球芯片廠商的脖子啊。 但是，從最近的情況來看，這家理論上風光無限的光刻機巨頭，日子卻也沒有想象中的好過，原因就是它們的“印鈔機”EUV光刻機，似乎失靈了。 我們知道，ASML的光刻機，是與芯片工藝應(yīng)對的，KrF、ArF、ArFi、EUV等等，對應(yīng)著不同的工藝。制造什么樣的芯片，就要買哪一種光刻機。 而全球的芯片工藝不斷前進，所以芯片廠商們，也要不斷的買新光刻機，不停的更新?lián)Q代，ASML為此賺的盆滿缽滿的。 但是進入到EUV之后，這種更新?lián)Q代就難了，一方面是研發(fā)最新款的EUV光刻機，實在是太難，成本太高了。二是研發(fā)出來，也因為成本太高，芯片廠商們不愿意買，賣不掉啊。 先說研發(fā)難的問題，之前的EUV光刻機，其NA=0.33也就是數(shù)值孔徑是0.33，而新一代叫做 High NA EUV，其...

近日，一些媒體報道了英國部署電子束光刻機相關(guān)的新聞，并號稱打破ASML的EUV技術(shù)壟斷。部分報道甚至號稱這是全球第二臺電子束光刻機，能繞過ASML。實際上當前沒有任何信息表面該電子束曝光機可以用于5nm制程的芯片量產(chǎn)的光刻環(huán)節(jié)。在這些媒體的報道中，英國似乎已經(jīng)拳打ASML，腳踢EUV了。 那事實真的如此嗎？實際情況到底如何呢？ 英國部署全球第二臺200kV電子束光刻設(shè)備 實際上，英國南安普敦大學宣布的是，成功開設(shè)了日本以外首個分辨率達5納米以下的尖端電子束光刻(EBL)中心，可以制造下一代半導體芯片。這也是全球第二個，歐洲首個此類電子束光刻中心。 據(jù)介紹，該電子束光刻中心采用了日本JEOL的加速電壓直寫電子束光刻(EBL)系統(tǒng)，這也是全球第二臺200kV系統(tǒng)（JEOL JBX-8100 G3）（第一臺在日本），其可以在200毫米晶圓上實現(xiàn)低于5納米級精細結(jié)構(gòu)的分辨率處理。這可以在厚至10微米的光刻膠中實現(xiàn)，且側(cè)壁幾乎垂直，可用于開發(fā)電子和光子學領(lǐng)域研究芯片中的新結(jié)構(gòu)。JEOL的第二代EBL設(shè)備——100kV JEOL...