從破土動工到設備搬入僅用約一年——長江存儲三期項目正在打破半導體行業的常規建廠周期。據業內最新消息，原定于2027年量產的武漢三期晶圓廠，有望提前至2026年下半年投入生產，比原計劃整整提前一年。 這一速度在半導體行業極為罕見。常規情況下，此類晶圓廠從建設到量產通常需要兩年左右周期。長江存儲采取了“邊建廠、邊投產”的加速策略， 在工廠主體建筑尚未完全完工的情況下，同步進行設備搬入與生產線調試。 布局超級周期 在全球存儲芯片供應持續緊缺的背景下，長江存儲的加速擴產是一項精準的戰略決策。2025年9月正式動工的三期項目，由長江存儲與湖北國資共同出資，注冊資本高達207.2億元。 這種“彎道超車”的策略背后，是長江存儲對NAND Flash市場即將迎來“超級周期”的預判。 當前，受AI服務器、數據中心及消費電子復蘇推動，NAND Flash需求大幅攀升，市場呈現供不應求態勢。 2026年被長江存儲視為擴大NAND Flash市場占有率的黃金時刻。 三星與SK海力士將主要資源與重心傾斜至利潤更高的DR...

全球半導體巨頭三星電子和SK海力士正式打響尖端NAND閃存產能爭奪戰。據最新消息，兩家公司計劃在今年第二季度推進尖端NAND閃存的轉換投資，其中三星電子正在討論的投資規模約為每月4萬至5萬片晶圓，預計明年進入量產階段。 過去長期把資源優先投向DRAM的兩大巨頭，如今正積極調整戰略布局，應對AI服務器需求激增帶來的存儲芯片市場新變化。 三星電子與SK海力士此次的轉換投資決策，標志著存儲芯片巨頭戰略重心正在發生微妙變化。過去，由于市場需求不足，兩家公司的設備投資幾乎全部集中在DRAM領域，NAND投資計劃一再推遲。 三星電子在2024年9月就已啟動280層V9 NAND量產，但當時只在平澤園區部署了初期量產線，月產能僅約15000片晶圓。如今，隨著AI產業推動存儲需求快速上升，三星正在加速擴大V9產能，重點放在中國西安的X2產線。 SK海力士也展現出強勁的擴產勢頭。該公司計劃在今年第二季度啟動321層第9代NAND的轉換投資，目標是在清州M15實現月產約3萬片晶圓的V9產能。與目前約2萬片晶圓的水平相比，這次擴產力度相當大...

2025年12月9日晚間，半導體行業期待已久的重磅合并案意外落幕。海光信息與中科曙光雙雙發布公告，宣布終止持續半年多的吸并重組計劃。這一曾被部分投資機構人士稱為“國內算力產業最大吸并案”的交易，最終因“交易規模較大、涉及相關方較多，且市場環境發生較大變化，實施條件尚不成熟”而告吹。 從5月25日首次公布合并計劃，到12月9日宣布終止，這場原本有望打造從芯片到服務器的國內算力產業龍頭的交易，在歷經半年多的籌劃后悄然收場。深夜的公告為本就寒冷的冬日增添了更多寒意。 合并終止，連鎖反應顯現 隨著兩家公司董事會在同一天審議通過終止議案，這一宏圖暫時擱淺。更具連鎖反應的是，由于換股吸收合并的終止，海光信息也同步取消了對曙光數創的要約收購事項。 在過去的半年多時間里，兩家公司為推進這一交易付出了持續努力。自2025年7月起，中科曙光曾連續發布6次重大資產重組進展公告。這些公告一直強調，交易前后海光信息均無實際控制人，不構成重組上市情形。 市場環境的快速變化最終使得這一交易難以繼續推進。兩家公司在公告中均...

當全球半導體產業在 AI 浪潮與消費電子復蘇的雙重驅動下加速回暖，晶圓代工領域的核心玩家正陸續交出 2025 年第三季度的答卷。11 月上旬至中旬，國產晶圓代工 “雙雄” 華虹半導體與中芯國際相繼披露最新財報。11月13日，中芯國際披露財報顯示，Q3銷售收入為23.82億美元，同比增長9.7%；毛利率為22%，環比上升1.6%。產能利用率上升至95.8%，環比增長3.3個百分點。 根據未經審核的財務數據，中芯國際前三個季度收入為68.38億美元, 較去年同期增長17.4%；毛利率為21.6%, 較去年同期增長5.3個百分點；資本開支合計57億美元。 中芯國際表示，四季度按照國際財務報告準則，公司收入指引為環比持平到增長2%，毛利率指引為18%到20%。對于凈利潤變動，中芯國際表示，主要是由于晶圓銷量同比增加及產品組合變動所致。 以地區收入分類看，中國、美國、歐亞占比分別為86%、11%和3%。從產品尺寸來看，12 英寸晶圓仍是主流，2025 年第三季度收入占比達 77.0%。 從產能及出貨量來看，折合8英寸標準邏輯，中芯國際第三季度月產能達到102.28萬片，突破百萬片；銷售晶圓數量...

10月15日，2025灣區半導體產業生態博覽會在深圳會展中心開幕。“芯世界，新選擇，新凱來”標語下人頭攢動，位于1號館的深圳市新凱來技術有限公司（以下簡稱“新凱來”）當屬最火爆的展臺。新凱來現場展出了多款半導體設備和設計軟件，重點展示了工藝裝備和量檢測裝備兩大系列共16款設備產品，所有產品均用中國的名山大川命名。 子公司啟云方（武漢啟云方科技有限公司）和萬里眼（深圳萬里眼技術有限公司）分別發布了EDA設計軟件和超高速示波器。 雖然此次展會新凱來沒有展出光刻機相關信息，但這家成立僅3年多的公司，正向半導體設備多項“卡脖子“技術發出了挑戰。 為何一家成立僅3年多的公司能帶來如此多的驚喜？ 談起新凱來，就不得不說起它的身世——深圳重大產業投資集團有限公司（以下簡稱“深圳投資集團”）與華為的合作。 深圳投資集團是深圳市委、市政府重大戰略引領性產業投資功能性平臺，由深圳市國資委直接管理。這一股權結構使新凱來具有鮮明的“國家隊”屬性。 深圳投資集團旗下有三家芯...

北京時間10月15日午后，荷蘭光刻機之王阿斯麥（ASML）披露了第三季度財報，營業收入錄得75.16億歐元，處于二季度指引的低位區間，略低于行業一致性預期，差距不大。每股收益5.49歐元，略高于預期的5.33歐元，主要得益于費用略低于指引的區間。 整體來看財報表現中規中矩，如果以行業慣性ArFi產品（浸潤式光刻機，DUV系列）24個月和EUV18個月的交付周期來看，三季度正好處于23Q3和24Q1的預定周期內，而23Q4和24Q2相對業績高點需要下個季度兌現。管理層指引較二季度相對樂觀，預計四季度營收92億至98億歐元之間，毛利率在51%-53%之間，全年整體增速維持在15%。 在二季度主動調低指引后（一季度指引上限全年增速約為24%），三季度維持了二季度的全年展望，同時管理層透露了好壞各一個消息： ·好消息：AI資本開支預期持續性明顯要更好，這一點可以從新訂單看出，三季度Net bookings達到了54億歐，雖然環比微降，但要明顯高于行業預期的49.7億歐，以及小摩給出的39.2億歐的指引。其中存儲類新訂單明顯增長。·壞消息：管理層明確表明了2026...

氮化鎵（GaN）作為第三代半導體材料之一，正加速在電力電子、數據中心與新能源汽車等高增長領域滲透。 在這一關鍵節點，臺積電決定于2027年前逐步退出GaN晶圓代工業務，主因包括產能利用率不足、價格競爭壓力以及長期戰略重心轉移。 而與此同時，英飛凌則在大力推進300毫米GaN晶圓IDM自建產線，力圖在效率與成本上獲得先發優勢。 兩位主要的玩家選擇不同，邏輯也不同。 氮化鎵作為寬禁帶半導體材料，其電子遷移率高、擊穿電壓大、頻率響應快，使其在高壓、快開關應用中具備顯著優勢，尤其適用于服務器電源、快充、逆變器、車載OBC與電驅動模塊等場景。 目前主流GaN晶圓制程以GaN-on-Si（氮化鎵外延層生長在硅襯底）為主，主要集中在6英寸和8英寸產線上。 以臺積電為例，其以150毫米（6英寸）硅襯底工藝為核心，服務包括Navitas、意法半導體與GaN Systems等企業，提供高壓GaN晶圓制造代工。 但由于整體GaN市場體量相較CMOS遠小，加之定價難以形成規模溢價，臺積電的GaN業務始終維持在較低投片規模。 從技術角度看 ◎ GaN外延生長...

8月18日消息，華虹半導體有限公司今日發布公告稱，正籌劃以發行股份及支付現金方式收購上海華力微電子有限公司控股權，并配套募集資金。此次交易初步確定的交易方包括控股股東上海華虹集團、國家集成電路產業投資基金二期等機構，預計不構成重大資產重組，且不會導致公司實際控制人變更。華虹半導體自今天（8月18日）起停牌，預計停牌時間不超過10個交易日。 先來看看本次收購標的資產為華力微旗下與華虹存在65／55nm及40nm工藝競爭的“華虹五廠”所對應股權，該資產目前正處于分立階段。 華虹五廠，是中國大陸首條12英寸全自動生產線，月產能達3．8萬片，覆蓋65／55nm至40nm工藝，主要服務于物聯網、汽車電子等領域。從公布的協議細節來看，交易雙方雖然同屬華虹集團，但工藝技術定位還是存在較大差異——“大哥”華虹比較聚焦特色工藝（如智能卡芯片），＂小弟＂華力微則比較側重先進邏輯工藝。 雙方在65／55nm節點的技術都有很大的優化空間，且在65／55nm及40nm工藝節點都存在交叉業務：華虹承接獨立式及嵌入式非易失性存儲器工藝平臺...

作為全球第一大光刻機廠商，也是唯一掌握EUV光刻機技術的廠商，理論上而言，ASML的日子是相當滋潤的。 畢竟EUV光刻機是制造7nm以下芯片必備機器，所以全球的頂尖芯片廠，都要搶ASML的EUV光刻機，看它的臉色行事，它卡著全球芯片廠商的脖子啊。 但是，從最近的情況來看，這家理論上風光無限的光刻機巨頭，日子卻也沒有想象中的好過，原因就是它們的“印鈔機”EUV光刻機，似乎失靈了。 我們知道，ASML的光刻機，是與芯片工藝應對的，KrF、ArF、ArFi、EUV等等，對應著不同的工藝。制造什么樣的芯片，就要買哪一種光刻機。 而全球的芯片工藝不斷前進，所以芯片廠商們，也要不斷的買新光刻機，不停的更新換代，ASML為此賺的盆滿缽滿的。 但是進入到EUV之后，這種更新換代就難了，一方面是研發最新款的EUV光刻機，實在是太難，成本太高了。二是研發出來，也因為成本太高，芯片廠商們不愿意買，賣不掉啊。 先說研發難的問題，之前的EUV光刻機，其NA=0.33也就是數值孔徑是0.33，而新一代叫做 High NA EUV，其...

近日，一些媒體報道了英國部署電子束光刻機相關的新聞，并號稱打破ASML的EUV技術壟斷。部分報道甚至號稱這是全球第二臺電子束光刻機，能繞過ASML。實際上當前沒有任何信息表面該電子束曝光機可以用于5nm制程的芯片量產的光刻環節。在這些媒體的報道中，英國似乎已經拳打ASML，腳踢EUV了。 那事實真的如此嗎？實際情況到底如何呢？ 英國部署全球第二臺200kV電子束光刻設備 實際上，英國南安普敦大學宣布的是，成功開設了日本以外首個分辨率達5納米以下的尖端電子束光刻(EBL)中心，可以制造下一代半導體芯片。這也是全球第二個，歐洲首個此類電子束光刻中心。 據介紹，該電子束光刻中心采用了日本JEOL的加速電壓直寫電子束光刻(EBL)系統，這也是全球第二臺200kV系統（JEOL JBX-8100 G3）（第一臺在日本），其可以在200毫米晶圓上實現低于5納米級精細結構的分辨率處理。這可以在厚至10微米的光刻膠中實現，且側壁幾乎垂直，可用于開發電子和光子學領域研究芯片中的新結構。JEOL的第二代EBL設備——100kV JEOL...